特許

J-GLOBAL ID：200903082000303455

ダイアフラム利用センサを製造する方法及びそれを使用して構成される装置

発明者： ジィ・ベンジャミン・ホッカー ,  デビッド・ダブリュ・バーンズ ,  アキンツンデ・アイ・イキンワンデ ,  ロバート・ディ・ホーニング ,  アミア・アール・ミルザ ,  トーマス・ジィ・ストラットン ,  ディードリッチ・ジェイ・ザートフ ,  ジェイムズ・ケイ・カーネイ ,  スコット・エイ・マクファーソン
出願人/特許権者： ハネウエル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046411
公開番号（公開出願番号）：特開平6-026961
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 ダイアフラムに損傷を与えずにセンサを製造する。【構成】 第1の半導体ウェハの表面に空洞を形成させて、ウェハに損傷を与えずに取ることができる材料で前記空洞をほぼ充填し、第1の半導体ウェハ表面に他の半導体ウェハを接合して、第1の半導体ウェハに空洞に達するアクセス通路を形成して、このアクセス通路から充填材を除去する。

請求項（抜粋）：

ダイアフラムを含むマイクロ構造を製造する方法において,a.第1の半導体ウェハの第1の表面に空洞を形成する工程と;b.エッチングプロセスを経てウェハに損傷を与えずに除去できる材料によって空洞をほぼ充填する工程と;c.第1の半導体ウェハの第1の表面に第2の半導体ウェハを接合する工程と;d.第1の半導体ウェハを通って空洞に至るアクセス通路を形成する工程と;e.アクセス通路を経て充填材料をエッチングにより除去する工程とから成る方法。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平2-125475
  
• 特表昭62-502645
  
• 特開平3-285524
  
• 特開平1-239881
  
• 無人搬送車バツテリ-の自動充電用給電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184036   出願人：神鋼電機株式会社
• 特表平1-503326
  
• 特開平2-203233
  
• 特開平1-092634