特許

J-GLOBAL ID：200903082005063118

磁気センサ

発明者： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084256
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282999
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 微小な外部磁界の変化を高精度に検出することができ、かつ低消費電力の磁気センサを実現する。【解決手段】 基板101の上に、第1電極113と、下地層102と、第1反強磁性層103と、第1強磁性層104と、第1非磁性層105と、強磁性中間層106と、第2非磁性層110と、第2強磁性層111と、第2反強磁性層112および第3電極115がこの順に積層され、強磁性中間層106に第2電極114が接続された構造を有し、第1強磁性層104と第2強磁性層111の磁化が平行で互いに反対向きに固定され、強磁性中間層106の磁化が外部磁界に応じて自由に回転可能となっている。

請求項（抜粋）：

印加される磁界変化に応じて電気抵抗値が変化する第1の磁気抵抗効果接合部と、前記第1の磁気抵抗効果接合部に電気的に接続された第2の磁気抵抗効果接合部とを少なくとも備え、前記第1の磁気抵抗効果接合部と前記第2の磁気抵抗効果接合部との間から信号が取出され、前記第1の磁気抵抗効果接合部の電気抵抗値は、前記第2の磁気抵抗効果接合部の電気抵抗値に対して、前記磁界変化に応じて逆位相で変化することを特徴とする磁気センサ。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (5件)：

2G017AA01 ,  2G017AB01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017BA05