特許

J-GLOBAL ID：200903082006543369

半導体製造装置

発明者： 松田 和彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304572
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126996
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 炉心管に半導体基板を挿入する際の大気の巻き込みを防止する。【解決手段】 開閉蓋150を開いて半導体ウェーハ110を保持したボード120を炉心管140内に挿入して、熱拡散処理等を行う。そして、半導体ウェーハ110とボード120を炉心管140内に挿入する場合に、炉心口140Aの近傍に配置されたガス供給管210から窒素ガスをほぼカーテン状に吹き付け、炉心口140Aを窒素ガスのカーテンで遮蔽する。これにより、炉心口140Aから炉心管140内への大気の巻き込みを防止する。また、炉心口140Aの近傍に配置されたガス回収管310によってガス供給管210から吹き出された窒素ガスを回収して排出し、炉心管140内への進入を抑制する。これにより、安定した半導体ウェーハの処理を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持した保持部材を炉心管内に挿入して所定の処理を行う半導体製造装置において、前記炉心管は、前記半導体基板を保持した保持部材を挿入する炉心口と、前記炉心口を開閉する開閉蓋と、前記開閉蓋を開いて前記半導体基板を保持した保持部材を挿入する場合に、前記炉心口に対し、前記保持部材の挿入方向と略直交する方向に所定のガスを略カーテン状に吹き付けることにより、炉心口から炉心管内への大気の巻き込みを防止するガス供給手段と、を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 501 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/22 501 S ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205

Fターム (7件)：

4K030CA04 ,  4K030GA12 ,  4K030KA09 ,  4K030KA10 ,  4K030LA15 ,  5F045EF01 ,  5F045EN02