半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309549
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007077
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ウェハー上に形成されたその表面部分にシリル化層を有する拡散障壁層を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体ウェハー11上に拡散障壁層13,15を形成し、この拡散障壁層13,15に、シリコン水素化物を利用したプラズマ処理により又は SiH4 を利用した反応性スパッタリング方法によりシリル化層19を形成する。このシリル化層19に金属層を形成する場合、拡散障壁層13,15と金属との湿潤性が向上され粒子が大きく形成され、金属層の接触口又はブァイアホールの段差塗布性を増加させる。又、シリル化層19上に金属層を形成した後高温熱処理すれば、金属層のリフロー特性が良くなり接触口やブァイアホールの埋立を容易にする。これにより、信頼性のよい金属配線が得られ、後に続くシンタリング工程が要らなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、その表面部分にシリル化層を有する拡散障壁層を含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 14/24 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭64-077121
特開平3-155618
特開平2-251139

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