半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097235
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289951
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】底部の面積を確保しつつショートに対する余裕を確保でき、信頼性を向上できる半導体装置のコンタクト構造を提供することを目的としている。【解決手段】半導体基板1上に半導体素子6を形成した後、全面に層間絶縁膜7を形成する。層間絶縁膜上にこの層間絶縁膜に対してエッチング選択比の高い絶縁膜11を形成し、エッチバックしてコンタクト孔の形成予定領域の段差部側壁に残存させる。そして、段差部側壁に残存された絶縁膜11a,11bをエッチングストッパの一部として利用するSAC技術により、層間絶縁膜に開孔上端部が順テーパ形状を有するコンタクト孔13を開孔することを特徴としている。開孔上端部に順テーパ形状を有するコンタクト孔を形成するので、コンタクト孔の底部の面積を確保しつつコンタクト孔の側壁部と半導体素子間のショートに対する十分な余裕を確保でき、信頼性を向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも一部の領域が形成された半導体素子と、この半導体素子上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜に形成され、少なくとも開孔上端部が順テーパ形状を有するコンタクト孔と、上記コンタクト孔の開孔上端部の領域に形成された絶縁膜と、上記コンタクト孔内に埋め込まれた導電性の埋め込み部材とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/302 M , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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