特許
J-GLOBAL ID：200903082013405583
CCD撮像素子の光電子読み出し部の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315591
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、光電子読み出し部の形成方法を変えることにより、CCD撮像素子のブルーミング耐性の低下と読み出し電圧の低下とを抑えて電気的特性の向上を図り、転送電極上に形成する配線の信頼性を高める。【構成】 CCD撮像素子10の垂直レジスタ部12と読み出しゲート24と転送電極17とが形成される半導体基板11の上層に、イオン注入法によって、光電子読み出し部(例えばフォトダイオード)を形成する方法であって、第1の工程で、転送電極17を覆う状態にイオン注入マスク32を形成した後、第2の工程で、イオン注入マスク32を用いた斜め入射のイオン注入法と同イオン注入マスク32を用いた垂直入射のイオン注入法とによって、半導体基板11の上層に、フォトダイオード23の拡散層領域(N+ 領域20)を読み出しゲート24に接続する状態に形成する。
請求項（抜粋）：
CCD撮像素子の垂直レジスタ部と読み出しゲートと転送電極とが形成される半導体基板の上層に、イオン注入法によって、光電子読み出し部を形成するCCD撮像素子の光電子読み出し部の形成方法において、前記転送電極を覆う状態にイオン注入マスクを形成する第1の工程と、前記イオン注入マスクを用いた斜め入射のイオン注入法と当該イオン注入マスクを用いた垂直入射のイオン注入法とによって、前記半導体基板の上層に、光電子読み出し部の拡散層領域を前記読み出しゲートに接続する状態に形成する第2の工程とを行うことを特徴とするCCD撮像素子の光電子読み出し部の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 27/148
, H01L 21/265
H01L 27/14 B
, H01L 21/265 F
