特許

J-GLOBAL ID：200903082016905498

半導体装置およびその製造方法

発明者： 上本 康裕 ,  藤井 英治 ,  有田 浩二 ,  長野 能久
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186236
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 支持基板とコンデンサの間の接着性が確保でき、低誘電率層が形成されることなく、かつ安定した下電極を有する容量素子を備えた半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1と、半導体基板1の上に形成されたMOSトランジスタ5に代表される集積回路要素と、層間絶縁膜2上に形成された下電極8、容量絶縁膜10および上電極11で構成される容量素子と、集積回路要素および容量素子を接続する電極配線14,15とを有し、下電極8の下にチタン膜6と二酸化チタン膜7からなる下地積層膜9が形成されている。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の上に形成された集積回路要素と、前記支持基板上の層間絶縁膜の上に形成された下電極、強誘電体膜および上電極で構成される容量素子と、前記集積回路要素および容量素子を接続する電極配線とを有し、前記下電極の下に金属膜とその金属膜と同じ金属元素の金属酸化膜からなる下地積層膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/46 R