炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157847
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349400
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】成長プロセスを繰り返し行わなくてもマイクロパイプ欠陥を合体させることができるようにする。【解決手段】種結晶4が載置されるるつぼ1の蓋体2のうち、マイクロパイプ欠陥5が集中して存在する位置に対応する箇所に凹部2aを設ける。つまり、マイクロパイプ欠陥5が集中して存在する位置において、種結晶4が蓋体2と接触しないようにすれば、その位置において蓋体2への熱伝導がないため、種結晶4が他の領域と比べて高温化して結晶成長速度が遅くなり、成長した炭化珪素単結晶6に凹面7が形成される。このように、種結晶4における成長面に対して傾斜した凹面7を形成することにより、この凹面7の傾斜に略垂直にマイクロパイプ欠陥5を伸張させることができるため、マイクロパイプ欠陥5を収束させて合体させることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥(5)を有する単結晶の炭化珪素からなる種結晶(4)を用意する工程と、前記種結晶上に炭化珪素単結晶(6)を結晶成長させると共に、前記種結晶における成長面に対して傾斜した凹面(7)を前記炭化珪素単結晶に形成し、該凹面によって前記マイクロパイプ欠陥を収束させる工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-199417 出願人：松下電器産業株式会社

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