特許
J-GLOBAL ID：200903082029387020
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252436
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】トレンチ型キャパシタを有する半導体装置において、絶縁膜の著しい微細化、薄膜化の方向が必須の要件になりつつある。しかし、絶縁膜が薄いと、従来技術からの課題である、寄生トランジスタが形成されてしまう。従って、絶縁膜の膜を調整するという方法のみでは、すべての課題を解決できるわけではないといえる。本発明はこれらの課題を解決する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】トレンチ内部の絶縁膜に隣接する多結晶シリコン領域の不純物濃度を、トレンチ水平方向での中心方向及び上部方向への多結晶シリコン領域に成る程、不純物濃度が高くなるように多結晶シリコン領域を形成する事により、空乏層を広げ、しきい値電圧を高め、絶縁膜を薄膜する効果を達成した。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板と、前記半導体基板内に設けられたトレンチと、前記トレンチ周辺にプレ-トとして埋め込まれた第二導電型の第一不純物拡散領域と、前記第一不純物拡散領域上部で、前記トレンチ周辺に設けられた第一導電型領域と、前記トレンチ周辺で、第一導電型半導体基板表面に設けられた第二導電型の第二不純物拡散領域と、前記トレンチ内側下部領域に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜内側の下部領域に設けられた一定の不純物濃度を有する多結晶シリコン領域と、前記トレンチ内側で、前記誘電体膜上部に設けられた酸化物アイソレーションカラーと、前記酸化物アイソレーションカラーの内側周辺の領域で、第一の不純物濃度を有する多結晶シリコン領域の上部に形成された、水平方向において中央部方向かつ上部方向領域に至るほど段階的に不純物濃度の高い多結晶シリコン領域と、前記段階的に不純物濃度の高い多結晶シリコン領域と前記第一導電型半導体基板表面に設けられた第二導電型不純物拡散領域を電気的に接続する一定の不純物濃度を有する接続用多結晶シリコン領域と、前記段階的に不純物濃度の高い多結晶シリコン領域、前記トレンチ周辺に設けられた第一導電型領域、前記第一導電型半導体基板表面に設けられた第二導電型の第二不純物拡散領域、前記不純物濃度を有する接続用多結晶シリコン領域、および酸化物アイソレーションカラーに接して形成されたシャロートレンチによる素子分離領域とを具備する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD15
, 5F083GA02
, 5F083GA06
, 5F083GA09
, 5F083GA30
, 5F083JA02
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083JA60
, 5F083NA01
, 5F083PR33
, 5F083PR36
, 5F083PR40
