特許

J-GLOBAL ID：200903082035336135

半導体装置

発明者： 住谷 光一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177213
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 ワイヤを用いることなく、ダイボンドに相当する工程とワイヤボンドに相当する工程を一度に行うことができ、またこれにより構成の簡単な、そして電気的特性に影響を与えない半導体装置を得る。【構成】 GaAs基板6の表面に回路素子7に電気的に接続された表面電極2を設け、GaAs基板6の裏面にこの表面電極2に接続されバイアホール8から裏面に引き出して凹形状に形成された裏面電極9を設け、配線基板10の表面にこの裏面電極9に対応させて凸形状に形成された円柱状の電極11を設け、上記配線基板10の凸形状の電極11を上記GaAs基板6の凹形状の裏面電極9内に挿入して嵌め合わせることによりGaAs基板6と配線基板10とを積層し、かつ電気的かつ機械的に接続するようにした。

請求項（抜粋）：

回路素子と、該回路素子と電気的に接続された表面電極と、裏面に開口したバイアホールと、該バイアホール内に凹形状に形成された裏面電極とを有する第1の半導体基板と、上記裏面電極に対応させて表面に突起状に形成された接続用電極を有する第2の半導体基板とを備え、上記第1の半導体基板の裏面電極と上記第2の半導体基板の接続用電極とを挿入嵌合し、上記第1の半導体基板と上記第2の半導体基板とを積層し、かつ電気的かつ機械的に接続してなることを特徴とする半導体装置。