特許

J-GLOBAL ID：200903082036667089

X線マスク及びその製造方法

発明者： 杉山 進 ,  上野 洋
出願人/特許権者： 関西ティー・エル・オー株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 三彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151393
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 X線吸収用のめっき膜の形成用の導電膜の厚みを抑制でき、かつ上記導電膜からの剥離が生じにくく、かつ、X線吸収用のめっき膜の剥離を防止できるX線マスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 メンブレン11と、このメンブレンの周辺部のみを支持する基板12と、メンブレン上に形成された導電膜13、14と、この導電膜上の基板と重ならない領域に所定パターンに形成されたX線吸収用めっき膜16とを有するX線マスクにおいて、導電膜とX線吸収用めっき膜との間に緩衝用めっき膜15が形成されるとともに、導電膜及び緩衝用めっき膜がX線吸収用めっき膜と重なるように同一パターンに形成されたX線マスク。

請求項（抜粋）：

メンブレンと、このメンブレンの周辺部のみを支持する基板と、上記メンブレン上に形成された導電膜と、この導電膜上の基板と重ならない領域に所定パターンに形成されたX線吸収用めっき膜とを有するX線マスクにおいて、上記導電膜とX線吸収用めっき膜との間に緩衝用めっき膜が形成されるとともに、上記導電膜及び緩衝用めっき膜が上記X線吸収用めっき膜と重なるように同一パターンに形成されたことを特徴とするX線マスク。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  C23C 28/00 ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 ,  G03F 1/16

FI (6件)：

C23C 28/00 A ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 A ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (29件)：

2H095BA10 ,  2H095BC08 ,  2H095BC17 ,  2H095BC24 ,  2H095BC27 ,  4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AB04 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA15 ,  4K024BB01 ,  4K024BB28 ,  4K024FA05 ,  4K024GA16 ,  4K044AA13 ,  4K044AB05 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BB05 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA18 ,  5F046GD01 ,  5F046GD03 ,  5F046GD14 ,  5F046GD20