特許

J-GLOBAL ID：200903082037935125

レーザ・マーキング方法及び装置

発明者： 佐藤 伸良 ,  大沢 浩二 ,  長谷川 斉
出願人/特許権者： エルエスアイ ロジック コーポレーション
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-058043
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ基板のレーザ・マーキングの際のパーティクルを効果的に除去し、半導体装置の歩留りを向上させること。【解決手段】 半導体ウエハ基板(2)にレーザ光(7)を照射してマーキングを行なう際に、ガス(5)を所定の流率でマーキング領域へ吹き付け、それと同じ流率で前記マーキング領域から吸引することにより、所定の流率を有するガス流をマーキング領域の近傍に発生させ、半導体ウエハ基板(2)から生じるパーティクル(9)を効果的に除去する。更に、半導体ウエハ基板(2)を、その表面が下向きになるように固定し、レーザ光(7)を、下方から上向きに照射すると、より少ないガス流で効率的にパーティクルを除去できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ基板にレーザ光を照射してマーキングを行なう方法であって、ガスを所定の流率でマーキング領域へ吹き付けるステップと、前記所定の流率と同じ流率で前記ガスを前記マーキング領域から吸引するステップと、を含み、よって、前記所定の流率を有するガス流をマーキング領域の近傍に発生させ、前記マーキングの際に前記半導体ウエハ基板から生じるパーティクルを除去することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/14 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

B23K 26/00 B ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/14 A ,  H01L 21/02 A