特許

J-GLOBAL ID：200903082038712545

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 齋藤 公彦
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034462
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223427
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 素子にダメージを与えず高出力で信頼性の高い半導体レーザ素子を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲン元素を含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露することによりヘキ開面の表面層を除去し、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

Fターム (4件)：

5F073AA51 ,  5F073AA84 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28