特許
J-GLOBAL ID：200903082038775415
素子内蔵多層基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216532
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 素子特性に優れ、実装密度の高い、素子の内蔵された多層基板の実現を可能する。【構成】 セラミック基板11に回路素子形成された厚膜回路基板14と少なくとも回路配線パターンが形成されたフレキシブル基板15を接合するにあたり、回路素子は少なくとも厚膜回路基板14とフレキシブル基板15の対抗面に配置し、さらに微小バンプ16を用いて両基板間の接合を行う。
請求項（抜粋）：
抵抗体やコンデンサなどを膜素子で構成してなる第1の配線基板と少なくとも回路配線パターンで構成される第2の配線基板とを接合して構成される複合回路基板において、少なくても前記膜素子は、前記第1および第2の配線基板との対抗面に配置し、前記膜素子の厚みより高い高さのバンプを用い、前記第1および第2の配線基板間を接合してなることを特徴とする素子内臓多層基板。
IPC (2件)：
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