特許

J-GLOBAL ID：200903082042680828

半導体素子の金属配線

発明者： 中村 麻樹子 ,  福田 保裕 ,  多々良 泰行 ,  原田 裕介 ,  ▲おの▼田 博
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264559
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120218
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 上層に金属窒化物層を有する半導体素子の金属配線の配線において、エレクトロマイグレーション耐性の劣化を防ぎ、信頼性が高い半導体素子の金属配線を提供する。【構成】 半導体素子の金属配線において、Al系合金膜13と、このAl系合金膜13上に形成されるTi膜14と、低抵抗を有するTiN膜15とを設ける。

請求項（抜粋）：

(a)Al系合金膜と、(b)該Al系合金膜上に形成される金属層と、(c)低抵抗を有する金属窒化物層とを具備する半導体素子の金属配線。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90