特許
J-GLOBAL ID：200903082042972888
半導体基板のエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164378
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345305
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板をエッチング加工して設計通りの形状に形成する。【解決手段】 半導体基板(SOI基板の活性層)21の表面に凹部27を形成する前に、凹部27の開口端縁部となる基板表面領域に角部保護用レジスト35を形成する。そして、次に、凹部形成用マスクパターン36を形成し、上記角部保護用レジスト35と凹部形成用マスクパターン36に基づいて半導体基板21をエッチング加工して凹部27を形成する。その後に、上記凹部形成用マスクパターン36を除去し、然る後に、凹部27を含む基板加工領域を設定の形状に加工するための成形用マスクパターン37を半導体基板21の表面に形成する。そして、角部保護用レジスト35と成形用マスクパターン37に基づいて、半導体基板21をエッチング加工して該半導体基板21を設定の形状に形作る。
請求項（抜粋）：
半導体基板に凹部をエッチングにより形成した後に、その凹部を含む基板加工領域を設定の形状にエッチング加工するための半導体基板のエッチング方法であって、上記半導体基板に上記凹部を形成する前に、その凹部の開口端縁部となる半導体基板表面領域に角部保護用レジストを形成し、次に、凹部形成用マスクパターンを上記角部保護用レジストとは異なるレジスト材料によって半導体基板表面に形成し、その後に、上記角部保護用レジストおよび凹部形成用マスクパターンに基づき半導体基板をエッチング加工して上記凹部を形成し、次に、上記凹部形成用マスクパターンを半導体基板から除去し、然る後に、上記凹部を含む基板加工領域を設定の形状に加工するための成形用マスクパターンを半導体基板表面に形成し、その後に、その成形用マスクパターンおよび前記角部保護用レジストに基づいて上記基板加工領域をエッチング加工することを特徴とした半導体基板のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 A
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112DA04
, 4M112DA18
, 4M112DA19
, 4M112EA02
, 5F043AA02
, 5F043DD30
, 5F043FF01
, 5F043GG10
