特許

J-GLOBAL ID：200903082043950306

マイクロ反応室用加熱要素として使用する薄膜トランジスタ

発明者： フランク アール. ブライアント
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370039
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298068
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ反応室用の小型の加熱要素を提供する。【解決手段】 本発明によれば、熱反応室に隣接して多結晶シリコンから形成された薄膜トランジスタが位置されている。該トランジスタのゲート電極はシリコン基板内に形成されており且つゲート誘電体がゲート電極上に位置されている。パストランジスタがゲート電極へ結合されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジスタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板内にソース/ドレイン領域を有している。パストランジスタがイネーブルされると、電圧がゲート電極へ印加されて薄膜トランジスタのドレインからソースへ電流を流させる。この電流の流れは高抵抗領域を介して通過し、それにより熱を発生し熱反応室へ伝達される。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体ヒーター組立体において、半導体基板、前記基板内に形成されているゲート電極、前記ゲート電極上に位置されており且つ前記半導体基板の上側に存在しているゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層の上に位置されており選択された固有抵抗を有する抵抗領域を具備するチャンネル部材、前記チャンネル領域に隣接して位置されているソース領域、前記チャンネル領域に隣接して位置されているドレイン領域、前記チャンネル領域へ電界を印加した場合に前記ゲート電極に応答して前記ドレイン領域から前記チャンネルを介して前記ソース領域へ電流を担持すべく前記ドレイン領域へ結合されている電流担持用導体、前記チャンネル領域に隣接して位置されている熱応答性反応室、を有していることを特徴とするヒーター組立体。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  B41J 2/05 ,  B41J 2/16 ,  H05B 3/00 330

FI (6件)：

H05B 3/00 330 Z ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 M ,  B41J 3/04 103 B ,  B41J 3/04 103 H

Fターム (39件)：

2C057AF65 ,  2C057AG46 ,  2C057AP14 ,  2C057AP31 ,  2C057AQ02 ,  2C057AR17 ,  2C057BA13 ,  3K058AA02 ,  3K058AA45 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC08 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110EE08 ,  5F110EE10 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG31 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN38 ,  5F110NN62 ,  5F110NN74