特許

J-GLOBAL ID：200903082044613087

半導体のドライエッチング方法

発明者： 小邑 篤 ,  坂野 芳和 ,  近藤 憲司 ,  三浦 昭二 ,  三瓶 哲彦 ,  金 啓逸
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333639
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163478
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板に形状の整った非常に深い深溝を効率良く高精度に形成すること。【構成】ドライエッチング装置に、RIE(反応性イオン・エッチング)装置を用い、エッチングガスには、Br系ガスとしてHBr 、F 系ガスとしてSF6 とSiF4、それからHeガスを含むO2ガスを用いた。結果として対SiO2選択比が飛躍的に増大して、側壁角度がほぼ90度のわずかなテーパー性を保ちつつ、今まで実現できなかったより深い深溝を再現性良く形状良好に形成することができた。例として、SOI基板上に全く良好な深さ20μmの深溝が形成できた。

請求項（抜粋）：

シリコン基板をドライエッチングする方法において、臭素(Br)を含有するガスと、六フッ化硫黄(SF6) または三フッ化窒素(NF3) の少なくとも一種を含有するガスと、酸素(O2)を含有するガスとから成るガスでエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-152285
  
• 特開平4-298035
  
• 特開平3-246936