特許
J-GLOBAL ID：200903082045115943
薄膜形成方法および薄膜エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195023
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050263
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 薄膜素子の構造が複雑化した場合、薄膜材料が多岐に亘る場合においてもプロセスコスト、素子コストの上昇を防止し、また、自己整合型のプロセスを提供して微細加工時の合わせ精度を大幅に向上させ、これによって素子の高速化、高密度化を実現する。【構成】 本発明に係る薄膜形成方法および薄膜エッチング方法は、基体上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンに通電しつつ前記基体上に気相成長法にて薄膜被着を施し前記導電性パターンと前記基体上とで異なる膜質に薄膜を形成する工程を含む薄膜形成方法、および基体上に導電性パターンを形成し該導電性パターン及び前記基体表面に薄膜を形成する工程と、前記導電性パターンに通電しつつ前記薄膜にドライエッチングを施し前記導電性パターン上に薄膜を残留させ、または導電性パターンを選択的に露出させる工程とを含む薄膜エッチング方法である。
請求項（抜粋）：
基体上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンに通電しつつ前記基体上に気相成長法にて薄膜被着を施し前記導電性パターンと前記基体上とで異なる膜質に薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
