特許

J-GLOBAL ID：200903082047646164

シリケート質多孔体の製造方法

発明者： 別府 義久 ,  近藤 新二
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社 ,  ファインセラミックス技術研究組合
代理人 (1件)： 間山 進也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091962
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284584
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【解決課題】 気孔特性、強度特性に優れ、安価に製造できるシリケート質多孔体の製造方法を提供する。【解決手段】 粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去し、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法を用いる。

請求項（抜粋）：

粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去する工程と、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 38/00 304 ,  B01J 20/12

FI (2件)：

C04B 38/00 304 B ,  B01J 20/12 B

Fターム (9件)：

4G066AA22A ,  4G066AA22B ,  4G066AA63A ,  4G066AA63B ,  4G066BA22 ,  4G066BA25 ,  4G066FA03 ,  4G066FA14 ,  4G066FA22