半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047361
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263447
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム合金膜と反射防止膜である窒化チタン膜との間に酸化アルミニウム膜が形成されることを防止する。【構成】アルミニウム膜3と反射防止膜である窒化チタン膜5との間に窒化アルミニウム膜4が設けられている。アルミニウム膜3は約1.0%程度のシリコンと約0.1%程度の銅とを含むアルミニウム合金からなる。アルミニウム膜3を窒化アルミニウム膜4で保護しておくと、大気と接触しても、表面に酸化アルミニウムが形成されるようなことはない。このため、アルミニウム膜3に集中していた電子が、アルミニウム膜3と窒化チタン膜5、あるいは窒化アルミニウム膜4に分散されるので、エレクトロマイグレーション寿命が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の絶縁膜上に所定のパターンで形成されたアルミニウム合金配線と、前記アルミニウム合金配線上に窒化アルミニウム膜を挟んで形成された窒化チタン膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/027 , H01L 21/31 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/30 574 , H01L 21/31 C

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