特許

J-GLOBAL ID：200903082054324261

銅薄膜形成用有機銅化合物とそれを用いた銅薄膜選択成長法

発明者： 内田 寛人 ,  齋 篤 ,  佐藤 正光 ,  斎藤 記庸 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225167
公開番号（公開出願番号）：特開平7-188254
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】 気化特性に優れ、かつ広い温度範囲で選択成長性に優れた有機金属化学蒸着法による銅薄膜形成用の有機銅化合物と、この化合物を用いた銅薄膜の選択成長法を提供する。【構成】 下記構造式(化1)【化1】で表される [trans-1,2-ビス (トリメチルシリル) エテン](1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト) 銅(I) からなる銅薄膜形成用有機銅化合物、ならびにこの化合物を用いて、絶縁性表面 (SiO2) には銅薄膜を付着させずに、導電性表面 (Nb、Ta、またはTiN)に銅薄膜を選択成長させる方法。

請求項（抜粋）：

下記構造式 (化1)【化1】で表される [trans-1,2-ビス (トリメチルシリル) エテン](1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト) 銅(I) からなる、有機金属化学蒸着法による銅薄膜形成用の有機銅化合物。

IPC (5件)：

C07F 7/02 ,  C07F 7/08 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205