特許

J-GLOBAL ID：200903082054532271

多孔質誘電体膜の洗浄中のダメージを低減する処理方法

発明者： シリング,ポール
出願人/特許権者： スーパークリティカル システムズ インコーポレイティド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-584818
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522737
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

マイクロエレクトロニクス部材の洗浄プロセスの際に、低k誘電材料膜のダメージを低減する処理装置、処理方法及び処理システムが開示される。本発明は、まずマイクロエレクトロニクス部材に不動態化処理を与え、続いて洗浄溶液処理を与えることにより、最小の誘電材料の損傷で以って高選択率で多孔質低k誘電材料膜を洗浄する。

請求項（抜粋）：

低k誘電材料表面を処理する方法であって、 a.該低k誘電材料表面に超臨界シリル化剤を与えて、不動態化された低k誘電材料表面を形成すること; b.該低k誘電材料表面に該シリル化剤を与えた後、該超臨界シリル化剤を取り除くこと; c.該不動態化された低k誘電材料表面に超臨界溶媒を与えること;及び d.該不動態化された低k誘電材料表面に該超臨界溶媒を与えた後、該超臨界溶媒を取り除くこと; を含んで成り、該不動態化された低k誘電材料表面が、該超臨界シリル化剤及び該超臨界溶媒で少なくとも部分的に不動態化される、低k誘電材料表面を処理する方法。

IPC (4件)：

G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

FI (4件)：

G03F7/40 521 ,  G03F7/42 ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/30 572B

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096LA02 ,  5F004AA07 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BD01 ,  5F004EA10 ,  5F004EB03 ,  5F046MA02