特許
J-GLOBAL ID：200903082055759806

半導体受光素子及び光受信モジュール

発明者：
熊谷 誠司

熊谷 誠司 について

, 
関口 剛

関口 剛 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 健一郎 ,  高野 明近 ,  岩野 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363010
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129689
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】強い光信号が入力された場合でも十分なバイアス電圧の印加が可能な、安定で低雑音化された半導体受光素子及び光受信モジュールを提供する。【解決手段】光信号を電気信号に変換するフォトダイオード51と、該フォトダイオード51に直列に挿入される抵抗素子53を集積化した半導体受光素子であって、抵抗素子53に並列接続されたバイパスダイオード52を備えた構成としたものである。フォトダイオード51は、InP基板上にN+-InGaAs層とi-InGaAs層とP+-InGaAs層を順次積層した層構造で形成され、バイパスダイオード52も同じ層構造で形成し、フォトダイオード51の製造プロセスで同時に形成されるものである。また、抵抗素子53、或いは容量素子54は、InP基板上に集積一体化される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードに直列に挿入される抵抗素子を集積化した半導体受光素子であって、前記抵抗素子に並列接続されたバイパスダイオードを備えていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
H01L31/10 ,  H01L27/14
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 J
Fターム (19件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA02 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA21 ,  4M118HA30 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049RA06 ,  5F049SS04 ,  5F049TA10 ,  5F049TA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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