特許
J-GLOBAL ID：200903082059520387
CMOS集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228298
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058212
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 正負両極性の高電圧回路と大規模な低電圧回路を同一チップ上に構成可能なCMOS集積回路を提供する。【構成】 p型半導体基板11上に形成したnMOSトランジスタ15およびp型半導体基板11上に形成されたnウェル12内に形成したpMOSトランジスタ16からなるCMOS回路によって高電圧回路21を構成するとともに、p型半導体基板11上に形成されたnウェル13内に形成したpMOSトランジスタ18およびnウェル13内に形成されたpウェル14内に形成したnMOSトランジスタ17からなるCMOS回路によって低電圧回路22を構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に高電圧用CMOS回路と低電圧用CMOS回路とを形成してなるCMOS集積回路であって、前記半導体基板上に形成した第2導電型の第1MOSトランジスタおよび前記半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウェル内に形成した第1導電型の第2MOSトランジスタからなる高電圧用CMOS回路と、前記半導体基板上に形成された第2導電型の第2ウェル内に形成した第1導電型の第3MOSトランジスタおよび前記第2導電型の第2ウェル内に形成された第1導電型の第3ウェル内に形成した第2導電型の第4MOSトランジスタからなる低電圧用CMOS回路とを具備したことを特徴とするCMOS集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
