特許
J-GLOBAL ID：200903082061674308
極低抵抗多結晶シリコンとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池条 重信
, 押田 良輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-227008
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083289
出願日： 2002年08月05日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】ルツボで直接凝固させて得る多結晶シリコンインゴットの製造に際して、インゴットにクラックが発生する問題を解消し、また、内部応力が製造後に解放されて割れやひびなどを発生することがない、外径が120mm以上で比抵抗値が1mΩ・cm未満の健全な多結晶シリコンインゴットを容易に製造可能にする。【解決手段】多量のボロンドープ材を添加した溶融シリコンを比較的高速かつ間欠的なルツボの回転による撹拌溶融し、凝固開始前に一定時間この間欠的回動を保持した後に凝固させ、さらに凝固後に所定の再加熱を施すことにより、例えば外径380mmの大型多結晶シリコンインゴットを内部クラックなしで得ることが可能となる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ルツボ内で直接凝固した直径が120mm以上で、比抵抗値が1mΩ・cm未満であり、その内部にクラックがない極低抵抗多結晶シリコンインゴット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B33/02 E
, C23C14/34 A
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072NN01
, 4G072TT30
, 4K029BC05
, 4K029BD00
, 4K029DC01
, 4K029DC05
, 4K029DC08
