特許
J-GLOBAL ID：200903082063292194
電荷転送素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226378
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 転送電極下の不純物濃度差を、転送電極形成後に自己整合的に形成できるようにして、電荷転送効率の向上を容易に図れるようにする。【構成】 N型の電荷転送領域1上にゲート絶縁膜2を介してポリサイド構造の第1の転送電極5を形成する。その後、メタル又はメタルシリサイド膜4を一部パターニングして、第1の転送電極5を階段状に形成する。電荷転送領域1の表面にP型の不純物を導入する。その後、全面にフォトレジスト膜8を形成した後、フォトレジスト膜8を少なくとも第1の転送電極5の一方の側壁を覆う形にパターニングして、下層のゲート絶縁膜2を一部露出させる。その後、電荷転送領域1の表面にP型の不純物を導入する。その後、フォトレジスト膜8を除去した後、全面に層間膜9を選択的に形成し、その後、2層目の半導体膜による第2の転送電極10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の電荷転送領域上に絶縁膜を介して1層目の半導体膜と第1のレジスト膜を順次積層した後、パターニングして第1の転送電極を形成する工程と、上記半導体膜上の第1のレジスト膜を一部パターニングして、上記半導体膜及び上記第1のレジスト膜からなる積層膜を階段状に形成する工程と、上記電荷転送領域の表面に第2導電型の不純物を導入する第1の不純物導入工程と、全面に第2のレジスト膜を形成した後、該第2のレジスト膜を少なくとも上記第1の転送電極の一方の側壁を覆う形にパターニングして、下層の絶縁膜を一部露出させる工程と、上記電荷転送領域の表面に第2導電型の不純物を導入する第2の不純物導入工程と、上記第2のレジスト膜を除去した後、全面に層間膜を選択的に形成し、その後、全面に2層目の半導体膜を形成した後、パターニングして第2の転送電極を形成する工程とを有することを特徴とする電荷転送素子の製法。
IPC (2件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
