特許

J-GLOBAL ID：200903082069162608

モスパワートランジスタの過電圧保護装置

発明者： ジャン バレ
出願人/特許権者： エスジェエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335664
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 垂直モストランジスタと論理構成要素を含んだ構成要素に対する保護装置を開示する。【解決手段】 本保護装置は第1のツェナーダイオードと、基板に対応した第1の端子と、基板内に形成され第2のタイプの導電性の領域に対応した第2の端子とを含んでいる。本発明は更に第1のツェナーダイオードと同じタイプの導電性であるがアバランシェ電圧が高い第2のツェナーダイオードと、両方のツェナーダイオードの第2の端子を含んでおり、両方のツェナーダイオードの第2の端子は論理回路を通してパワートランジスタをオンにする回路に接続されている。該論理回路は入力の一方が高く他の入力と異なっている時のみ導通となる。

請求項（抜粋）：

垂直モスパワートランジスタ(TP)と論理構成要素を含む構成要素に対する保護装置であって、該モストランジスタと該論理構成要素のドレインに対応する構成要素の第1のタイプの導電性の基板(1,2)が第2のタイプの導電性の少なくとも1つの井戸(10)の中に形成され、該基板の上側表面の上にツェナーダイオード(Z1)と、基板に対応した第1の端子と、該基板内に形成され第2のタイプの導電性の領域に対応した第2の端子とを含み、更に、第1のツェナーダイオードと同じタイプの導電性であるがアバランシェ電圧が高い第2のツェナーダイオード(Z2)と、該両方のツェナーダイオードの第2の端子とを含み、該第2の端子は入力の一方が高く他の入力と異なる時のみ導通状態となる論理回路(L)を通りパワートランジスタをオンにする回路に接続されている、ことを特徴とする保護装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 656 B ,  H01L 29/78 657 G