特許
J-GLOBAL ID:200903082073720771
塗布膜形成方法および塗布膜形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-343240
公開番号(公開出願番号):特開2000-173948
出願日: 1998年12月02日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板の微細な配線溝、ビアホール、コンタクトホール等を分散液で完全に埋め込むことができる方法、およびそのための装置の提供。【解決手段】 基板に滴下された分散液をスピンコーターにより膜形成している最中に、該分散液の一部をスピンコーターに設けたブラシにより取り除き、または移動することにより、配線溝、ビアホール、コンタクトホール等の微細な凹部内を分散液で完全に埋め込む。
請求項(抜粋):
金属微粒子分散液を用いたスピンコート法による基板上への塗布膜形成法において、ブラシを用いて、配線溝、ビアホール、コンタクトホールの微細な凹部を有する基板への該分散液の埋め込みを行うことを特徴とする塗布膜形成方法。
IPC (6件):
H01L 21/283
, B05C 11/02
, B05C 11/08
, B05D 1/40
, C23C 24/04
, H01L 21/3205
FI (6件):
H01L 21/283 A
, B05C 11/02
, B05C 11/08
, B05D 1/40 A
, C23C 24/04
, H01L 21/88 B
Fターム (37件):
4D075AC57
, 4D075AC60
, 4D075AC64
, 4D075DA08
, 4D075DC22
, 4F042AA07
, 4F042DD02
, 4F042DD07
, 4F042DD14
, 4F042DD31
, 4F042DF28
, 4F042DF32
, 4F042EB19
, 4F042EB29
, 4K044AA11
, 4K044AB02
, 4K044BA06
, 4K044BA21
, 4K044BB01
, 4K044CA23
, 4K044CA53
, 4K044CA71
, 4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD51
, 4M104FF21
, 4M104GG13
, 4M104HH13
, 5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033KK01
, 5F033MM01
, 5F033MM29
, 5F033NN01
, 5F033PP26
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