特許

J-GLOBAL ID：200903082074631004

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 小坂 雄二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183293
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】酸化窒化膜を有する半導体装置において、不純物の再分布を低減するために酸化・窒化処理の低温化・短時間化を実現し、大気からの不純物汚染を防ぐために酸化窒化膜形成からシリコン膜堆積までの間ウエハーを大気にさらさないことを可能にする半導体装置の製造方法とその製造装置置を提供する。【構成】半導体ウェハー1は反応室2の中に導入され、1気圧より高い圧力に加圧された酸化ガスにより酸化反応が進行する。連続して窒化ガスを同様に供給し、酸化膜を窒化し窒化酸化膜を形成する。されに必要に応じ、連続して再酸化を行なう。これらは1気圧より高い圧力化での反応であるため反応速度が速く、酸化・窒化処理の低温化・短時間化が可能となる。その後反応室2内を減圧し、例えばSiH4とH2とを供給し、シリコン膜を堆積する。これにより、ウエハーを大気にさらすことなく、その上にシリコン膜を堆積できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に、1気圧よりも高い圧力下での酸化反応によりゲート酸化膜を形成する工程と、1気圧よりも高い圧力下でN2Oによりゲート酸化膜を窒化する工程と、シリコン膜を形成する工程を含む半導体装置で、これらの工程を大気にさらすことなく一貫して行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/31 A ,  H01L 29/78 301 G