半導体装置およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097845
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299578
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】小面積にもかかわらず大きな容量を有するキャパシタを備えた半導体装置を提供する。【構成】キャパシタを有する半導体装置であって、半導体基板1上に第1の絶縁膜3が形成されており、第1の絶縁膜上に第1のポリシリコン膜4、第2の絶縁膜5および第2のポリシリコン膜6がこの順序で形成されている。前記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜は電気回路的に並列となるように構成されている。

請求項（抜粋）：

キャパシタを有する半導体装置であって、半導体基板上に第1の絶縁膜が形成されており、第1の絶縁膜上に第1のポリシリコン膜、第2の絶縁膜および第2のポリシリコン膜がこの順序で形成されており、第2のポリシリコン膜と前記半導体基板とが金属膜で接続されて一方の電極とされ、第1のポリシリコン膜が他方の電極とされ、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜がキャパシタ材料とされてなる半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-002058
特開昭59-089450
特開平1-220856

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