特許

J-GLOBAL ID：200903082077443837

プラズマ処理方法および装置

発明者： 水村 通伸 ,  大坪 徹 ,  岩下 克博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108809
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293599
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波放電によるプラズマエッチング処理やプラズマ成膜処理を大口径の試料基板に対して均一に処理でき、しかも電力損失を低減可能とする改良されたプラズマ処理方法および装置を実現する。【解決手段】マイクロ波標準同軸導波管1に入射した2.45GHzマイクロ波は1/4波長同軸インピーダンス変換線路2、4および1/2波長同軸導波管3、5を通過し、石英ガラス7を通してプラズマ8に到達し、プラズマを維持、ウエハ10をプラズマ処理する。反応性プロセスガスボンベ19からプラズマ8中に供給する原料ガス種としてエッチングガスを用いればエッチング処理により微細加工ができ、CVDガスを用いれば成膜処理ができる。【効果】LSIの製造において300mmウエハのプラズマ処理を可能にする。

請求項（抜粋）：

マグネトロン発振器から伝送されたマイクロ波を、マイクロ波の進行方向に段階的に口径が拡大され最終的に所望の被処理試料の投影面積に対応した口径の同軸伝送線路を介して処理室の被処理試料上部に位置する放電領域に供給してプラズマを発生させるプラズマ処理方法において、口径が段階的に拡大される同軸伝送線路の接続部に、中心導体の外径と外側導体の内径を同位置で変化させずにインピーダンス整合がとれるように1/4波長の同軸変換器を接続して段階的な口径拡大による同軸伝送線路の伝送損失を低減するように構成し、被処理試料をプラズマ処理するようにして成るプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 14/35 F ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B