特許
J-GLOBAL ID：200903082078470846
薄膜トランジスタパネル
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-072506
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】付加容量の容量値を十分大きくし、しかも液晶表示素子の開口率も十分に確保する。【構成】基板21上に形成したキャパシタライン34と画素電極22とその間のゲート絶縁膜25とで第1の付加容量Cs1を形成し、前記画素電極22の前記キャパシタライン34が対向する部分の上面側には層間絶縁膜32をはさんで前記画素電極22と対向する容量形成用電極35を設けてこの容量形成用電極35と画素電極22とその間の層間絶縁膜32とで第2の付加容量Cs2を形成するとともに、前記容量形成用電極35を前記キャパシタライン34に接続して第1の付加容量Cs1と第2の付加容量Cs2とを並列接続した。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に、行方向および列方向に配列された複数の画素電極と、これら各画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、各画素電極行にそれぞれ対応させて配線されその行の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数のゲートラインと、各画素電極列にそれぞれ対応させて配線されその列の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数のデータラインとを形成してなり、かつ、各画素電極行ごとに前記画素電極の一部にその一面側から絶縁膜をはさんで対向するキャパシタラインを設けてこのキャパシタラインと前記画素電極とその間の絶縁膜とで第1の付加容量を形成し、前記画素電極の前記キャパシタラインが対向する部分の他面側には他の絶縁膜をはさんで前記画素電極と対向する容量形成用電極を設けてこの容量形成用電極と画素電極とその間の絶縁膜とで第2の付加容量を形成するとともに、前記容量形成用電極を前記キャパシタラインに接続して、前記第1の付加容量と第2の付加容量とを並列接続したことを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
