特許

J-GLOBAL ID：200903082080101548

半導体装置の冷却構造

発明者： 小松 博登
出願人/特許権者： 信越ポリマー株式会社
代理人 (1件)： 薬師 稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228633
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055456
出願日： 1995年08月15日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 高い熱伝導率で半導体装置が発生する熱を効果的に放熱することができる半導体装置の放熱構造を提供する。【解決手段】 シリコーンゴム12を金網11に含侵させ、この金網11の両側部を断面略C状に屈曲させて伝熱性シート10を構成し、この伝熱性シート10を半導体装置1とヒートシンク2との間に適当な圧力をもって挟着し、伝熱性シート10が金網11とシリコーンゴム12の変形により全体的に撓みを生じ、これら金網11とシリコーンゴム12とがそれぞれ半導体装置1とヒートシンク2とに接するように構成した。

請求項（抜粋）：

高い熱伝導率のフィラーを高い配合率で分散させたエラストマと高い熱伝導率の金属からなる金網とを備え、該金網の一部が表裏面に露出する伝熱性シートを構成し、該伝熱性シートを一面に露出した金網が半導体装置と接触するように設けたことを特徴とする半導体装置の冷却構造。