特許
J-GLOBAL ID：200903082081908682
半導体電力変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187256
公開番号（公開出願番号）：特開平10-042548
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 並列接続される電力用半導体素子の電流分担の不均等を防止し、所望容量の半導体電力変換装置を小形、低コストにて実現する。【解決手段】 一アーム内に複数個の電力用半導体素子を並列接続してなる半導体電力変換装置に関する。IGBT Q1,Q2の陽極を互いに接続し、かつ、制御極を互いに接続すると共に、各IGBT Q1,Q2の陰極をそれぞれインダクタンス成分L1,L2を介して互いに接続し、これらのインダクタンス成L1,L2分の相互接続点と前記制御極の相互接続点との間にゲート駆動回路GDUを接続する。その他、各制御極とゲート駆動回路GDUとの間に抵抗を接続したり、各制御極と陰極との間に過電圧保護回路を接続する等の手段を採る。
請求項（抜粋）：
一アーム内に複数個の電力用半導体素子を並列接続してなる半導体電力変換装置において、各半導体素子の陽極を互いに接続し、かつ、各半導体素子の制御極を互いに接続すると共に、各半導体素子の陰極をそれぞれインダクタンス成分を介して互いに接続し、これらのインダクタンス成分の相互接続点と前記制御極の相互接続点との間に駆動回路を接続したことを特徴とする半導体電力変換装置。
IPC (3件)：
H02M 1/088
, H02M 1/08 341
, H03K 17/12
H02M 1/088
, H02M 1/08 341 B
, H03K 17/12
