特許
J-GLOBAL ID：200903082082512367
多結晶シリコン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129204
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、多結晶シリコン膜中の結晶を成長させることで膜表面に突起を形成して、多結晶シリコン膜の表面積を大きくし、結合容量の増大化を図る。【構成】 第1の工程で、多結晶シリコン膜14中に不純物として、例えばリンを導入する。次いで第2の工程で、不純物を導入した多結晶シリコン膜14よりなる多結晶シリコンパターン16を熱処理することにより、当該多結晶シリコンパターン16中の結晶粒17を成長させて、多結晶シリコンパターン16の表面に突起18を形成する。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜中に不純物を導入する第1の工程と、前記不純物を導入した多結晶シリコン膜を熱処理することにより、当該多結晶シリコン膜中の結晶粒を成長させて、多結晶シリコン膜の表面に突起を形成する第2の工程とよりなることを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/788
, H01L 29/792
