特許

J-GLOBAL ID：200903082085172648

絶縁膜の欠陥検出方法及びその装置

発明者： 神田 直樹 ,  金井 美鈴 ,  古川 亮一 ,  吉田 正義 ,  佐伯 智則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184830
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜中の微小欠陥の位置を高精度で特定する技術を提供する。【解決手段】シリコン基板と電気的に接続した絶縁膜とPt電極をNa2Au(SO3)2電解液に浸し、シリコン基板とPt電極間にパルス電圧を印加し、絶縁膜欠陥上に直径10nm以下のAu粒子を析出させる。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁膜を有する導電性基板又は導電性膜付きの基板と、アノード電極と、電解液を入れる容器と、電源とからなり、電気化学反応のより該絶縁膜表面に金属を析出させて絶縁膜中の欠陥を検出する方法において、パルス電圧又は電流を用いることを特徴とする絶縁膜欠陥検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00

FI (2件)：

H01L 21/66 Q ,  G01N 27/00 Z

Fターム (20件)：

2G060AA09 ,  2G060AA19 ,  2G060AE01 ,  2G060AF04 ,  2G060AG03 ,  2G060AG11 ,  2G060DA02 ,  2G060DA14 ,  2G060HA03 ,  2G060HE01 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106BA04 ,  4M106BA12 ,  4M106CA27 ,  4M106DH04 ,  4M106DH24 ,  4M106DH31 ,  4M106DH60