半導体光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038928
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242572
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】表面からの位置決め精度を向上させるようにした半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造工程において、所定の深さと幅の異常成長抑制のための溝6を形成した。

請求項（抜粋）：

スポットサイズ拡大機能を有する光導波路と、前記光導波路に接続された活性光導波路と、前記光導波路及び前記活性光導波路の上に積層されたクラッド層と、前記光導波路及び活性光導波路を囲む埋め込み層とを有する半導体構造を形成する第1の工程と、前記半導体構造の表面上に、前記活性光導波路を覆うように選択成長膜を形成すると共に、前記選択成長膜の周囲に溝を形成する第2の工程と、有機金属気相エピタキシャル成長法により前記選択成長膜で覆われていない部分に、オーバクラッド層を形成する第3の工程を備えた半導体光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 31/0232 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 M , H01L 31/02 D

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