特許
J-GLOBAL ID：200903082092900012
結晶成長装置および結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252213
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 面内均一性の良いエピタキシャル成長層を得ることの可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。【解決手段】 超高真空に排気可能な成長室1と、この成長室1内に配置され、成長基板3を保持するための基板ホルダ2と、成長室1内に配置され、蒸発源となる板状原料6の表面を所定の角度に設定するための角度設定手段を具備した坩堝41と、成長室1内の坩堝41の近傍に配置された坩堝41を加熱するための加熱ヒータ5とを少なくとも備え、成長基板3の表面と板状原料6の表面のなす角θが22度以内なるように構成されている。
請求項（抜粋）：
超高真空に排気可能な成長室と、前記成長室内に配置され、成長基板を保持するための基板ホルダと、前記成長室内に配置され、蒸発源となる板状原料の表面を所定の角度に設定するための角度設定手段を具備した坩堝と、前記成長室内の前記坩堝の近傍に配置された前記坩堝を加熱するための加熱ヒータとを少なくとも備え、前記成長基板の表面と前記板状原料の表面のなす角を22度以内とすることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/203 M
, C30B 23/08 M
4G077AA03
, 4G077BE46
, 4G077DA06
, 4G077EG01
, 4G077SC12
, 5F103AA04
, 5F103BB02
, 5F103BB19
, 5F103DD01
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103KK01
, 5F103RR06
