特許

J-GLOBAL ID：200903082096938600

電子デバイス用誘電体磁器組成物

発明者： 島田 武司 ,  西川 和裕 ,  田路 和也
出願人/特許権者： 住友特殊金属株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368099
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189468
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 従来の誘電体磁器組成物と同等またはそれ以上のτf、εr特性を有し、磁器組成物中に含有のZnの蒸発を抑制して組成制御を容易にし、かつ内質均一のセラミックスを短時間の焼結により安定的に得ることができるとともに、特に、誘電率Qfと温度特性の制御性を向上させ、誘電体素子の小型化が可能な電子デバイス用誘電体磁器組成物。【解決手段】 特定の3価金属イオンを含有させ、組成中のZnを所要値に制御して得たXBa(Zn1/3・Ta2/3)O3-Y(BaZ・Sr1-Z)(Ga1/2・Ta1/2)O3固溶系の誘電率の向上を目的に種々検討した結果、XBa(Zn1/3・Ta2/3)O3部におけるTaの一部をNbと置換することにより、誘電率が向上するとともに、上記3価金属の含有効果、すなわちY(BaZ・Sr1-Z)(Ga1/2・Ta1/2)O3系のGaの効果である焼結性の改善が同様に得られ、Qfの向上及び温度特性の制御効果が同時に得られる。

請求項（抜粋）：

基本組成を、XBa{Zn<SB>1/3</SB>・(Ta<SB>M</SB>・Nb<SB>1-M</SB>)<SB>2/3</SB>}O<SB>3</SB>-Y(Ba<SB>Z</SB>・Sr<SB>1-Z</SB>)(Ga<SB>1/2</SB>・Ta<SB>1/2</SB>)O<SB>3</SB>と表し、組成範囲を限定するX、Y、Z及びMが下記値を満足する組成からなる電子デバイス用誘電体磁器組成物。X+Y=1、0.3≦X<1、0.7≧Y>0、0≦Z≦1、0.2≦M≦0.8

IPC (2件)：

C04B 35/495 ,  H01B 3/12 307

FI (2件)：

C04B 35/00 J ,  H01B 3/12 307