特許
J-GLOBAL ID：200903082099488656
プラズマ処理方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303188
出願日： 1983年10月19日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【目的】成膜速度と膜質やエッチングレート、選択比とエッチング精度など相反するプラズマ処理特性を共に向上させるプラズマ処理方法およびその装置を供給する。【構成】プラズマ処理装置を、被処理基板を載置する載置部と真空に排気する排気部とガスを導入するガス導入部とを備えた処理室と、排気部により処理室の内部が真空に排気されてガス導入部からガスが導入された状態で処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、このプラズマ発生手段でプラズマを発生させた状態で載置部に載置した被処理基板に入射するイオンのエネルギを制御するイオンエネルギ制御手段とを備えて構成した。【効果】プラズマ処理の性能、すなわち、エッチング処理におけるエッチングレート、選択比、エッチング精度、成膜における成膜速度、膜質を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
被処理基板を載置する載置部と真空に排気する排気部とガスを導入するガス導入部とを備えた処理室と、前記排気部により前記処理室の内部が真空に排気されて前記ガス導入部からガスが導入された状態で前記処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段でプラズマを発生させた状態で前記載置部に載置した被処理基板に入射するイオンのエネルギを制御するイオンエネルギ制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, H01J 37/305
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23C 16/50
, H01J 37/305 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 B
