特許

J-GLOBAL ID：200903082100486280

半導体製造装置および半導体装置

発明者： 松井 裕一 ,  三木 浩史 ,  大路 譲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082266
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279497
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】常温,常圧で液体または固体の金属化合物原料を用いるCVD法において、原料容器を低温化しても充分な原料供給量が得られる原料供給機構を提供する。【構成】原料容器1内に多数の孔の開いたプレート4を数枚設置し、その上にBa(DPM)2,Sr(DPM)2等の金属化合物原料3をのせ、キャリアガスを原料容器1の下部より供給する。原料の有効表面積を増大させることができるため、定常状態で飽和蒸気圧に近づく。それにより、低温でも充分な原料供給量が得られる。

請求項（抜粋）：

常温,常圧で固体または液体の金属化合物原料を用いるCVD装置において、原料容器内に少なくとも1枚のプレートが具備されており、前記プレート上に金属化合物原料をのせ、キャリアガスを流して気化または昇華させることによって原料を供給することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (8件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651