特許

J-GLOBAL ID：200903082103136468

半導体ウェーハ処理用石英ガラス製炉芯管

発明者： 田添 春夫 ,  永田 智治 ,  浦橋 利明 ,  露木 龍也 ,  上嶋 信幸
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357935
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191873
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 優れた高温強度を有し、長期間にわたり繰り返し使用しても、安定して被処理物の半導体ウェーハを汚染することなく、熱効率よく加熱処理できる炉芯管の提供。【構成】 半導体ウェーハの処理用石英ガラス製炉芯管であって、少なくとも2層からなり、最内部層が炉芯管総肉厚の5〜35%の肉厚を有すると共にOH基含有量が1000〜2000ppmの合成石英ガラスで形成され、該最内部層の外側に形成される外部層が高純度石英ガラスで形成されることを特徴とする半導体ウェーハの処理用石英ガラス製炉芯管。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの処理用石英ガラス製炉芯管であって、少なくとも2層からなり、最内部層が炉芯管総肉厚の5〜35%の肉厚を有すると共にOH基含有量が1000〜2000ppmの合成石英ガラスで形成され、該最内部層の外側に形成される外部層が高純度石英ガラスで形成されることを特徴とする半導体ウェーハの処理用石英ガラス製炉芯管。

IPC (2件)：

C03C 3/06 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-268129