特許
J-GLOBAL ID：200903082107579240
シリコン系薄膜光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355155
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186574
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法による低温プロセスを用いて形成される結晶質シリコン系薄膜光電変換層における結晶粒界や粒内欠陥を低減し、それによって光電変換特性が改善されたシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置は、基板(101)上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニット(111)を含み、その光電変換ユニット(111)は、プラズマCVD法によって順次積層された1導電型微結晶シリコン系半導体層(104)と、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層(105)と、逆導電型シリコン系半導体層(106)とを含み、1導電型微結晶半導体層(104)と結晶質光電変換層(105)との間にはシリコン系酸化薄膜(116)をさらに含みかつこのシリコン系酸化薄膜(116)が結晶質光電変換層(105)と直接接していることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットは、プラズマCVD法によって順次積層された1導電型シリコン系半導体層と、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型シリコン系半導体層とを含み、前記1導電型半導体層と前記光電変換層との間にはシリコン系酸化薄膜をさらに含みかつこのシリコン系酸化薄膜が前記光電変換層と直接接していることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。
引用特許：
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