特許
J-GLOBAL ID：200903082109288774
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204023
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【構成】 同じ半導体基板1にN型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタを混在して形成するとき、N型不純物層を形成後、第1のアニール処理にて導電型がN型のソース・ドレインである高濃度N型拡散層13を形成する工程と、P型不純物層形成後、第2のアニール処理にて導電型がP型のソース・ドレインである高濃度P型拡散層を形成する工程とを有する。【効果】 ソース・ドレインである高濃度拡散層に用いる2つの導電型の不純物が電気的に充分に活性化し、両導電型のトランジスタのドレイン耐圧が大きく異なる現象を是正することから、高い駆動電圧での使用に際しても片方の導電型のMOSトランジスタ部にて不必要なリーク電流が流れることを抑制し、MOSトランジスタの正常な動作を制御することが可能となる。
請求項（抜粋）：
導電型がN型またはP型の半導体基板にPウェルとNウェルとを形成する工程と、フィールド酸化膜とゲート絶縁膜を形成した後、ゲート電極材料である多結晶シリコン膜を全面に形成する工程と、多結晶シリコン膜にN型とP型の不純物をそれぞれ選択的に添加し、N型不純物を添加した多結晶シリコン膜とP型不純物を添加した多結晶シリコン膜を形成する工程と、フォトエッチングによりゲート電極を形成する工程と、全面にマスク酸化膜を形成する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜の整合する領域で導電型がN型のソース・ドレイン形成領域にN型の不純物を選択的に添加し、不活性気体雰囲気中にてアニール処理を行い導電型がN型のソース・ドレインである高濃度N型拡散層を形成する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜の整合する領域で導電型がP型のソース・ドレイン形成領域にP型の不純物を選択的に添加する工程と、層間絶縁膜を形成し、不活性気体雰囲気中にてアニール処理を行いP型のソース・ドレインである高濃度P型拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
