特許

J-GLOBAL ID：200903082111044130

配線基板およびその製造方法

発明者： 千阪 俊介
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089429
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283110
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 めっき金属層中に鉛が含有されず、しみ状変色等の機能上の不具合を生じることが無く、めっき皮膜が高い密着性を有する配線基板であり、鉛により人体に害を及ぼすことのない配線基板を提供する。【解決手段】 絶縁体1に高融点金属から成る配線導体2を形成するとともに配線導体2の表面に無電解めっき金属層6を被着させて成る配線基板4であって、無電解めっき金属層6はその内部に金属粒子として白金族元素8を含有し、かつ鉛が非含有であるとともに、白金族元素8の金属粒子が配線導体2表面に10〜200核/μm2の核密度で分布している。鉛を含有しないことから人体に害を及ぼすことがなく、白金族元素8の金属粒子の核密度を10〜200核/μm2と適度にしたことから、無電解めっき金属層6を、初期析出が緻密で高密度な欠陥の無い、均一で密着性の良い皮膜とすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体に高融点金属から成る配線導体を形成するとともに該配線導体の表面に無電解めっき金属層を被着させて成る配線基板であって、前記無電解めっき金属層はその内部に白金族元素を金属粒子として含有し、かつ鉛が非含有であるとともに、前記金属粒子が該配線導体表面に10〜200核/μm2の核密度で分布していることを特徴とする配線基板。

IPC (5件)：

H05K 3/24 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/32 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09

FI (5件)：

H05K 3/24 A ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/32 ,  H05K 1/09 C ,  H01L 23/12 D

Fターム (28件)：

4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB35 ,  4E351CC07 ,  4E351DD20 ,  4E351GG14 ,  4E351GG20 ,  4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB07 ,  5E343AA23 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB47 ,  5E343BB52 ,  5E343CC71 ,  5E343CC78 ,  5E343FF17 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18 ,  5E343GG20