特許
J-GLOBAL ID:200903082112381653
被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
石田 敬
, 鶴田 準一
, 福本 積
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-350247
公開番号(公開出願番号):特開2004-064040
出願日: 2002年12月02日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】被研削基材と支持体を含む積層体であって、非常に低い肉厚まで研削された基材を、破損することなく支持体から剥離することが可能である、積層体を提供する。【解決手段】被研削基材と、前記被研削基材と接している接合層と、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、光透過性支持体とを含み、但し、前記光熱変換層は、前記接合層とは反対側の前記被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギー(radiation energy)が照射されたときに分解して、研削後の基材と前記光透過性支持体とを分離するものである、積層体。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
被研削基材と、
前記被研削基材と接している接合層と、
光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、
光透過性支持体と、
を含み、
但し、前記光熱変換層は、前記接合層とは反対側の前記被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギーが照射されたときに分解して、研削後の基材と前記光透過性支持体とを分離するものである、積層体。
IPC (3件):
H01L21/304
, B32B7/06
, C09K3/00
FI (3件):
H01L21/304 622J
, B32B7/06
, C09K3/00 U
Fターム (30件):
4F100AA20A
, 4F100AA37B
, 4F100AG00C
, 4F100AK01B
, 4F100AL05B
, 4F100AR00A
, 4F100AR00B
, 4F100AT00A
, 4F100AT00C
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100CA07B
, 4F100CA23B
, 4F100EH46
, 4F100EH462
, 4F100EJ08
, 4F100EJ082
, 4F100EJ86
, 4F100EJ862
, 4F100GB41
, 4F100JD06C
, 4F100JD14B
, 4F100JD16B
, 4F100JL13G
, 4F100JL14
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 4F100YY00B
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開平1-268031
-
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-233799
出願人:日本電信電話株式会社
-
色材シートの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-083153
出願人:富士写真フイルム株式会社
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審査官引用 (11件)
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特開平1-268031
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特開平1-268031
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薄膜半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-233799
出願人:日本電信電話株式会社
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