特許
J-GLOBAL ID：200903082113926297
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064869
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 キャリア濃度を高く、または半導体層と電極金属との接触抵抗を小さくして電極間抵抗が小さく発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層およびp型層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層4、6が積層され、前記n型層およびp型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層にそれぞれ接続されたn側およびp側電極9、8が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p型層のドーパントとしてBe、Mn、またはMg、Zn、Cd、BeおよびMnのうちの2種以上、n型層のドーパントとしてSe、S、Ge、Te、Sn、またはSi、Ge、Sn、S、SeおよびTeのうちの2種以上を使用する。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型層およびp型層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層され、前記n型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層に接続されたn側電極、および前記p型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層に接続されたp側電極がそれぞれ設けられてなる半導体発光素子であって、前記p型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層のドーパントがBeである半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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