特許

J-GLOBAL ID：200903082114623301

半導体装置の製造方法及びイオンドーピング装置

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264998
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082661
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 イオンドーピング中に生じる絶縁基板の温度上昇を抑制して、半導体薄膜の特性を改善する。【解決手段】 半導体装置を製造する為、先ず絶縁基板7上に半導体薄膜6を形成する成膜工程を行なう。次に、半導体薄膜6に不純物を選択的にドーピングする注入工程を行なう。この後半導体薄膜6を素子領域として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程を行なう。注入工程はイオンドーピング装置を用いて行なわれ、先ず互いに対向するカソード電極2及びアノード電極3を備えたチャンバ1を用意し、カソード電極2上に絶縁基板7を載置する。次に、不純物を含む気体をチャンバ1に導入しカソード電極2及びアノード電極3間に高周波電力を印加して気体をプラズマ8の状態にする。プラズマ8中に含まれる不純物イオンを自己バイアスで半導体薄膜6に照射する。この際、冷却機構5によりカソード電極2を冷却して絶縁基板7の温度上昇を抑制する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜に不純物を選択的にドーピングする注入工程と、該半導体薄膜を素子領域として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを行なう半導体装置の製造方法であって、前記注入工程は、互いに対向するカソード電極及びアノード電極を備えたチャンバを用意し、該カソード電極上に該絶縁基板を載置する手順と、不純物を含む気体を該チャンバに導入し該カソード電極及びアノード電極間に高周波電力を印加して該気体をプラズマ化し不純物をイオン化して該半導体薄膜に照射する手順と、照射中該カソード電極を冷却して絶縁基板の温度上昇を抑制する手順とを含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/265 F ,  C23C 14/48 C ,  H01J 37/317 Z ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/78 616 L