特許

J-GLOBAL ID：200903082122250468

高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア

発明者： 竹之下 英博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029569
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233330
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】飽和磁束密度Bsの値が4300G以上の高飽和磁束密度フェライト材料を提供する。【解決手段】47.7〜50.5モル%のFe2 O3 と、3.5モル%以下(0を含む)のCuOと、残部がZnOおよびNiOであり、かつZnO/NiOのモル比が0.82〜1.1である主成分100重量に対し、0.05〜0.8重量部のBi2 O3 と、0.005〜0.15重量部のMoO3 を含有する高飽和磁束密度フェライト材料。

請求項（抜粋）：

47.7〜50.5モル%のFe2 O3 と、3.5モル%以下(0を含む)のCuOと、残部がZnOおよびNiOであり、かつZnO/NiOのモル比が0.82〜1.1である主成分100重量に対し、0.05〜0.8重量部のBi2 O3 と、0.005〜0.15重量部のMoO3 を含有することを特徴とする高飽和磁束密度フェライト材料。

IPC (2件)：

H01F 1/34 ,  H01F 27/255

FI (2件)：

H01F 1/34 A ,  H01F 27/24 D